Характеристики кремнієвої епітаксії

Характеристики кремнієвої епітаксії наступні:

Висока чистота: епітаксійний шар кремнію, вирощений методом хімічного осадження з парової фази (CVD), має надзвичайно високу чистоту, кращу площинність поверхні та меншу щільність дефектів, ніж традиційні пластини.

Однорідність тонкої плівки: кремнієва епітаксія може утворювати дуже однорідну тонку плівку за певної гарантованої швидкості росту. При цьому можна досягти рівномірності нагрівання, тим самим зменшуючи дефекти кристалічної структури та покращуючи якість кристала.

Сильна керованість: технологія кремнієвої епітаксії може точно контролювати морфологію, розмір і структуру кремнієвих матеріалів і може вирощувати складні кристалічні структури, такі як багатошарові гетеропереходи.

Великий діаметр пластини: технологія епітаксійного вирощування кремнію може вирощувати кремнієві пластини великого діаметру, а здатність виробляти кремнієві пластини великого діаметру має вирішальне значення для виробництва напівпровідників.

Надійність процесу: кремнієвий епітаксіальний процес можна повторно використовувати багато разів, що має велике значення для масового виробництва напівпровідникових пристроїв.