Підготовка високоякісної епітаксії карбіду кремнію залежить від передових технологій, обладнання та аксесуарів до обладнання. В даний час найбільш широко використовуваним методом епітаксії карбіду кремнію є хімічне осадження з газової фази (CVD). Він має такі переваги, як точний контроль товщини епітаксійної плівки та концентрації легування, менша кількість дефектів, помірна швидкість росту, автоматичне керування процесом тощо, і це надійна технологія, яка успішно застосована в комерційних цілях.
CVD-епітаксія з карбіду кремнію зазвичай використовує CVD-обладнання з гарячою або теплою стінкою, яке забезпечує продовження шару епітаксії 4H кристалічного SiC в умовах високої температури росту (1500 ~ 1700 ℃), CVD з гарячою або теплою стінкою після років розробки, відповідно до співвідношення між напрямком потоку повітря на вході та поверхнею підкладки, реакційну камеру можна розділити на реактор з горизонтальною структурою та реактор з вертикальною структурою.
Існують три основні показники якості епітаксіальної печі SIC. Перший - це ефективність епітаксіального росту, включаючи однорідність товщини, однорідність легування, рівень дефектів і швидкість росту; По-друге, температурні показники самого обладнання, включаючи швидкість нагріву/охолодження, максимальну температуру, рівномірність температури; Нарешті, вартість самого обладнання, включаючи ціну та потужність окремої одиниці.
Горизонтальна CVD з гарячою стінкою (типова модель PE1O6 компанії LPE), планетарна CVD з гарячою стінкою (типова модель Aixtron G5WWC/G10) і квазігаряча стінка CVD (представлена EPIREVOS6 компанії Nuflare) є основними технічними рішеннями епітаксійного обладнання, які були реалізовані у комерційних програмах на цьому етапі. Три технічні пристрої також мають свої особливості і можуть бути обрані відповідно до попиту. Їх структура представлена таким чином:
Відповідні основні компоненти такі:
(a) Основна частина горизонтального типу з гарячою стіною - складається з частин Halfmoon
Ізоляція внизу
Основний утеплювач верху
Верхній півмісяць
Ізоляція вище по течії
Перехідна частина 2
Перехідна частина 1
Зовнішнє повітряне сопло
Конусна трубка
Зовнішнє сопло газу аргону
Аргонова насадка
Вафельна опорна пластина
Центруючий штифт
Центральна охорона
Нижня ліва захисна кришка
Нижня права захисна кришка
Передня ліва захисна кришка
Верхня права захисна кришка
Бічна стінка
Графітне кільце
Захисний фетр
Опорний фетр
Контактний блок
Газовий циліндр
(b)Тепла стіна планетарного типу
Планетарний диск із покриттям SiC і планетарний диск із покриттям TaC
(c) Квазітермічний настінний тип
Nuflare (Японія): Ця компанія пропонує двокамерні вертикальні печі, які сприяють підвищенню продуктивності. Обладнання має високу швидкість обертання до 1000 обертів на хвилину, що є дуже корисним для епітаксійної рівномірності. Крім того, його напрямок повітряного потоку відрізняється від іншого обладнання, будучи вертикальним вниз, таким чином мінімізуючи утворення частинок і зменшуючи ймовірність падіння крапель частинок на пластини. Для цього обладнання ми пропонуємо основні графітові компоненти з SiC-покриттям.
Як постачальник компонентів SiC епітаксійного обладнання, VeTek Semiconductor прагне надавати клієнтам високоякісні компоненти покриття для підтримки успішного впровадження SiC епітаксії.
VeTek Semiconductor є професійним виробником і лідером у виробництві тримачів пластин із SiC покриттям у Китаї. Тримач для пластин із покриттям SiC — це тримач для пластин для процесу епітаксії при обробці напівпровідників. Це незамінний пристрій, який стабілізує пластину і забезпечує рівномірне зростання епітаксійного шару. Ласкаво просимо до подальшої консультації.
ДетальнішеНадіслати запитVeTek Semiconductor є професійним виробником і фабрикою Epi Wafer Holder у Китаї. Epi Wafer Holder — це тримач пластин для процесу епітаксії при обробці напівпровідників. Це ключовий інструмент для стабілізації пластини та забезпечення рівномірного росту епітаксійного шару. Він широко використовується в обладнанні для епітаксії, такому як MOCVD і LPCVD. Це незамінний пристрій у процесі епітаксії. Ласкаво просимо до подальшої консультації.
ДетальнішеНадіслати запитЯк професійний виробник Aixtron Satellite Wafer Carrier і інноватор у Китаї, VeTek Semiconductor Aixtron Satellite Wafer Carrier є носієм пластин, який використовується в обладнанні AIXTRON, в основному використовується в процесах MOCVD при обробці напівпровідників, і особливо підходить для високотемпературної та високоточної обробки. процеси обробки напівпровідників. Носій може забезпечити стабільну підтримку пластини та рівномірне осадження плівки під час епітаксійного росту MOCVD, що є важливим для процесу осадження шарів. Ласкаво просимо до подальшої консультації.
ДетальнішеНадіслати запитVeTek Semiconductor є професійним виробником LPE Halfmoon SiC EPI Reactor, новатором і лідером у Китаї. LPE Halfmoon SiC EPI Reactor — це пристрій, спеціально розроблений для виробництва високоякісних епітаксіальних шарів карбіду кремнію (SiC), які в основному використовуються в напівпровідниковій промисловості. VeTek Semiconductor прагне надавати провідні технології та рішення для продуктів для напівпровідникової промисловості та вітає ваші подальші запити.
ДетальнішеНадіслати запитЯк професійний виробник і постачальник стелі з покриттям CVD SiC у Китаї, стеля VeTek Semiconductor з покриттям CVD SiC має чудові властивості, такі як стійкість до високих температур, стійкість до корозії, висока твердість і низький коефіцієнт теплового розширення, що робить його ідеальним вибором матеріалу для виробництва напівпровідників. Сподіваємось на подальшу співпрацю з вами.
ДетальнішеНадіслати запитCVD SiC-графітовий циліндр від Vetek Semiconductor є ключовим у напівпровідниковому обладнанні, слугуючи захисним екраном у реакторах для захисту внутрішніх компонентів при високих температурах і тиску. Він ефективно захищає від хімічних речовин і сильної спеки, зберігаючи цілісність обладнання. Завдяки винятковій стійкості до зносу та корозії, він забезпечує довговічність і стабільність у складних умовах. Використання цих чохлів покращує продуктивність напівпровідникових пристроїв, подовжує термін служби та зменшує вимоги до обслуговування та ризики пошкодження. Ласкаво просимо до нас.
ДетальнішеНадіслати запит