Китай Пористий графіт Виробник, Постачальник, Завод

Виробники SiC підкладок зазвичай використовують конструкцію тигля з пористим графітовим циліндром для процесу гарячого поля. Така конструкція збільшує площу випаровування та обсяг заряду. Було розроблено новий процес для усунення дефектів кристалів, стабілізації масообміну та підвищення якості кристалів SiC. Він включає метод фіксації кристалічного лотка без зародків для теплового розширення та зняття напруги. Однак обмежена ринкова пропозиція тигельного графіту та пористого графіту створює проблеми для якості та виходу монокристалів SiC.


Ключові характеристики VeTek Semiconductor Porous Graphite:

1. Стійкість до навколишнього середовища при високій температурі - виріб витримує температуру 2500 градусів за Цельсієм, демонструючи чудову термостійкість.

2. Суворий контроль пористості - VeTek Semiconductor підтримує жорсткий контроль пористості, забезпечуючи постійну продуктивність.

3.Надвисока чистота - використовуваний пористий графітовий матеріал досягає високого рівня чистоти завдяки суворим процесам очищення.

4. Відмінна здатність до зв’язування частинок на поверхні - VeTek Semiconductor має чудову здатність до зв’язування частинок на поверхні та стійкість до адгезії порошку.

5. Транспортування, дифузія та однорідність газу. Пориста структура графіту сприяє ефективному транспортуванню та дифузії газу, що призводить до покращення однорідності газів і частинок.

6. Контроль якості та стабільність - VeTek Semiconductor наголошує на високій чистоті, низькому вмісті домішок і хімічній стабільності для забезпечення якості росту кристалів.

7. Контроль температури та рівномірність - Теплопровідність пористого графіту забезпечує рівномірний розподіл температури, зменшуючи стрес і дефекти під час росту.

8. Покращена дифузія розчиненої речовини та швидкість росту - пориста структура сприяє рівномірному розподілу розчиненої речовини, підвищуючи швидкість росту та однорідність кристалів.



View as  
 
Пористий графіт для росту кристалів SiC

Пористий графіт для росту кристалів SiC

Як провідний виробник SiC Crystal Growth Porous Graphite і лідер у напівпровідниковій промисловості Китаю, VeTek Semiconductor протягом багатьох років зосереджується на різних продуктах з пористого графіту, таких як пористий графітовий тигель, високочистий пористий графіт, SiC Crystal Growth Porous Graphite, пористий графіт з Завдяки інвестиціям та дослідженням та розробкам TaC Coated наші продукти з пористого графіту отримали високу оцінку європейських та американських клієнтів. Ми щиро сподіваємось стати вашим партнером у Китаї.

ДетальнішеНадіслати запит
Пористий графіт

Пористий графіт

VeTek Semiconductor є професійним виробником пористого графіту, CVD SiC покриття та CVD TAC COATING графітового чутливого елемента в Китаї. Фактично, як основний витратний матеріал у процесі виробництва напівпровідників, пористий графіт відіграє незамінну роль у багатьох зв’язках, таких як ріст кристалів, легування та відпал. VeTek Semiconductor прагне надавати високоякісні продукти за конкурентоспроможними цінами, і ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

ДетальнішеНадіслати запит
Пористий графіт високої чистоти

Пористий графіт високої чистоти

Пористий графіт високої чистоти, наданий компанією VeTek Semiconductor, є вдосконаленим матеріалом для обробки напівпровідників. Він виготовлений з високочистого вуглецевого матеріалу з чудовою теплопровідністю, хорошою хімічною стабільністю та чудовою механічною міцністю. Цей пористий графіт високої чистоти відіграє важливу роль у процесі вирощування монокристалічного SiC. VeTek Semiconductor прагне надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами та сподівається стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

ДетальнішеНадіслати запит
<1>
Як професійний Пористий графіт виробник і постачальник у Китаї, ми маємо власну фабрику. Незалежно від того, чи потрібні вам індивідуальні послуги відповідно до конкретних потреб вашого регіону, чи бажаєте придбати вдосконалений і міцний Пористий графіт, виготовлений у Китаї, ви можете залишити нам повідомлення.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept