- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини галузі
Чому графітовий токоприймач із покриттям SiC виходить з ладу? - VeTek Semiconductor
Під час процесу епітаксійного росту SiC може виникнути руйнування графітової суспензії з покриттям SiC. У цьому документі проведено ретельний аналіз явища руйнування графітової суспензії з покриттям SiC, яке в основному включає два фактори: руйнування епітаксіального газу SiC та руйнування покриття ......
Детальніше
Пористий карбід танталу: нове покоління матеріалів для росту кристалів SiC
Пористий карбід танталу від VeTek Semiconductor, як нове покоління матеріалу для вирощування кристалів SiC, має багато чудових властивостей і відіграє ключову роль у різноманітних технологіях обробки напівпровідників.
Детальніше
Що таке епітаксіальна піч EPI? - VeTek Semiconductor
Принцип роботи епітаксіальної печі полягає в осадженні напівпровідникових матеріалів на підкладку під високою температурою та високим тиском. Епітаксійне вирощування кремнію полягає у вирощуванні шару кристала з такою ж орієнтацією кристала, що й підкладка, і різної товщини на монокристалічній підкл......
Детальніше
Напівпровідниковий процес: хімічне осадження з парової фази (CVD)
Хімічне осадження з парової фази (CVD) у виробництві напівпровідників використовується для осадження тонкоплівкових матеріалів у камері, зокрема SiO2, SiN тощо, і зазвичай використовуються типи PECVD і LPCVD. Регулюючи температуру, тиск і тип реакційного газу, CVD досягає високої чистоти, одноріднос......
Детальніше
