Тигель для монокристалічного кремнію

У методі CZ (Czochralski) монокристал вирощують шляхом контакту монокристалічної затравки з розплавленим полікристалічним кремнієм. Насіння поступово підтягується вгору, повільно обертаючись. У цьому процесі використовується значна кількість графітових частин, що робить його методом, який використовує найбільшу кількість графітових компонентів у виробництві кремнієвих напівпровідників.

На малюнку нижче показано схематичне зображення печі для виробництва монокристалів кремнію за методом CZ.

Тигель Vetek Semiconductor's для монокристалічного кремнію забезпечує стабільне та контрольоване середовище, яке має вирішальне значення для точного формування напівпровідникових кристалів. Вони відіграють важливу роль у вирощуванні злитків монокристалічного кремнію за допомогою передових технологій, таких як процес Чохральського та методи флоат-зони, які є життєво важливими для виробництва високоякісних матеріалів для електронних пристроїв.

Створені для надзвичайної термічної стабільності, стійкості до хімічної корозії та мінімального теплового розширення, ці тиглі забезпечують довговічність і міцність. Вони розроблені таким чином, щоб витримувати агресивні хімічні середовища без шкоди для структурної цілісності або продуктивності, тим самим подовжуючи термін служби тигля та зберігаючи постійну продуктивність протягом тривалого використання.

Унікальний склад Vetek Semiconductor Crucibles для монокристалічного кремнію дозволяє їм витримувати екстремальні умови високотемпературної обробки. Це гарантує виняткову термічну стабільність і чистоту, які є критичними для обробки напівпровідників. Композиція також сприяє ефективній теплопередачі, сприяючи рівномірній кристалізації та мінімізуючи температурні градієнти в розплаві кремнію.

Переваги нашого SiC Coating Susceptor:

Захист основного матеріалу: покриття CVD SiC діє як захисний шар під час епітаксійного процесу, ефективно захищаючи основний матеріал від ерозії та пошкоджень, спричинених зовнішнім середовищем. Цей захисний захід значно продовжує термін служби обладнання.

Чудова теплопровідність: наше покриття CVD SiC має виняткову теплопровідність, ефективно передає тепло від основного матеріалу до поверхні покриття. Це підвищує ефективність управління температурою під час епітаксії, забезпечуючи оптимальні робочі температури для обладнання.

Покращена якість плівки: покриття CVD SiC забезпечує рівну та однорідну поверхню, створюючи ідеальну основу для росту плівки. Це зменшує кількість дефектів, що виникають внаслідок невідповідності ґрат, покращує кристалічність і якість епітаксійної плівки, і в кінцевому підсумку покращує її продуктивність і надійність.

Виберіть наш SiC Coating Susceptor для своїх потреб у виробництві епітаксійних пластин і отримайте переваги від покращеного захисту, чудової теплопровідності та покращеної якості плівки. Довіртеся інноваційним рішенням VeTek Semiconductor, щоб досягти успіху в галузі напівпровідників.

Виробничі цехи:

Огляд мережі індустрії епітаксії напівпровідникових мікросхем: