MOCVD LED Epi Susceptor

VeTek SemiconductorхMOCVD LED Epi Susceptorє основним компонентом. У процесі підготовки напівпровідникових приладів,MOCVD LED Epi Susceptorце не лише проста нагрівальна платформа, але й інструмент для точного процесу, який має глибокий вплив на якість, швидкість росту, однорідність та інші аспекти тонкоплівкових матеріалів.

Особливості використанняMOCVD LED Epi Susceptorв обробці напівпровідників є такі:

Нагрівання основи та контроль однорідності:

MOCVD Epitaxy Susceptor використовується для забезпечення рівномірного нагріву для забезпечення стабільної температури підкладки під час епітаксійного росту. Це важливо для отримання високоякісних напівпровідникових плівок і забезпечення стабільності товщини та кристалічної якості епітаксіальних шарів по всій підкладці.

Підтримка камер реактора хімічного осадження з парової фази (CVD).:

Будучи важливим компонентом CVD реактора, Susceptor підтримує осадження металоорганічних сполук на підкладках. Це допомагає точно перетворювати ці сполуки на тверді плівки для формування бажаних напівпровідникових матеріалів.

Сприяти розподілу газу:

Конструкція Susceptor може оптимізувати розподіл потоку газів у реакційній камері, забезпечуючи рівномірний контакт реакційного газу з підкладкою, тим самим покращуючи однорідність і якість епітаксійних плівок.

Ви можете бути впевнені, купуючи на замовленняMOCVD LED Epi Susceptorвід нас, ми сподіваємось на співпрацю з вами. Якщо ви хочете отримати більше інформації, ви можете негайно проконсультуватися з нами, і ми відповімо вам вчасно!

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC:

Виробничі цехи:

Огляд мережі індустрії епітаксії напівпровідникових мікросхем：