Що таке покриття CVD TAC?

Як ми всі знаємо,TaCмає температуру плавлення до 3880°С, високу механічну міцність, твердість, стійкість до термічних ударів; хороша хімічна інертність і термічна стійкість до аміаку, водню, кремнійвмісних парів при високих температурах.

Покриття CVD TAC, хімічне осадження з газової фази (CVD).покриття з карбіду танталу (TaC)., це процес формування міцного покриття високої щільності на підкладці (зазвичай графіті). Цей метод передбачає нанесення TaC на поверхню підкладки при високих температурах, у результаті чого утворюється покриття з чудовою термічною та хімічною стійкістю.

Основні переваги покриттів CVD TaC включають:

Надзвичайно висока термічна стабільність: може витримувати температуру понад 2200°C.

Хімічна стійкість: може ефективно протистояти агресивним хімічним речовинам, таким як водень, аміак і пари кремнію.

Сильна адгезія: забезпечує тривалий захист без розшарування.

Висока чистота: мінімізує домішки, що робить його ідеальним для застосування в напівпровідниках.

Ці покриття особливо підходять для середовищ, які вимагають високої довговічності та стійкості до екстремальних умов, таких як виробництво напівпровідників і високотемпературні промислові процеси.

У промисловому виробництві графітові (вуглець-вуглецеві композитні) матеріали, вкриті TaC-покриттям, швидше за все, замінять традиційний високочистий графіт, покриття pBN, покриття SiC тощо. Крім того, в галузі аерокосмічної промисловості TaC має великий потенціал для використовуватися як високотемпературне антиокислювальне та антиабляційне покриття та має широкі перспективи застосування. Однак існує ще багато проблем, щоб отримати щільне, рівномірне покриття TaC, що не відшаровується, на поверхні графіту та сприяти масовому промисловому виробництву.

У цьому процесі дослідження механізму захисту покриття, інноваційний процес виробництва та конкуренція з найкращими іноземними рівнями є вирішальними для росту та епітаксії напівпровідникових кристалів третього покоління.