VeTek Semiconductor представляє TaC Coating Susceptor. Завдяки винятковому покриттю TaC цей чутливий елемент пропонує безліч переваг, які відрізняють його від звичайних рішень. Бездоганно інтегруючись у існуючі системи, TaC Coating Susceptor від VeTek Semiconductor гарантує сумісність та ефективну роботу. Його надійні характеристики та високоякісне покриття TaC постійно забезпечують виняткові результати в процесах епітаксії SiC. Ми прагнемо надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами та сподіваємось стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.
Токоприймач і кільце з покриттям TaC компанії VeTek Semiconductor працюють разом у епітаксіальному реакторі карбіду кремнію LPE:
Стійкість до високих температур: Токоприймач покриття TaC має чудову стійкість до високих температур, здатний витримувати екстремальні температури до 1500°C у реакторі LPE. Це гарантує, що обладнання та компоненти не деформуються та не пошкоджуються під час тривалої експлуатації.
Хімічна стабільність. Сусцептор із покриттям TaC надзвичайно добре працює в корозійному середовищі зростання карбіду кремнію, ефективно захищаючи компоненти реактора від корозійного хімічного впливу, тим самим подовжуючи термін їх служби.
Термічна стабільність: Токоприймач покриття TaC має хорошу термічну стабільність, зберігаючи морфологію поверхні та шорсткість для забезпечення однорідності температурного поля в реакторі, що є корисним для високоякісного росту епітаксійних шарів карбіду кремнію.
Захист від забруднень: гладка поверхня з покриттям TaC і чудова продуктивність TPD (температурно-програмована десорбція) можуть мінімізувати накопичення та адсорбцію частинок і домішок усередині реактора, запобігаючи забрудненню епітаксіальних шарів.
Таким чином, токоприймач і кільце з покриттям TaC відіграють важливу захисну роль у реакторі для епітаксіального росту з карбіду кремнію LPE, забезпечуючи тривалу стабільну роботу обладнання та високоякісне зростання епітаксіальних шарів.
Фізичні властивості покриття TaC | |
Щільність | 14,3 (г/см³) |
Питома випромінювальна здатність | 0.3 |
Коефіцієнт теплового розширення | 6.3 10-6/К |
Твердість (HK) | 2000 HK |
опір | 1×10-5 Ом*см |
Термостабільність | <2500 ℃ |
Розмір графіту змінюється | -10~-20 мкм |
Товщина покриття | Типове значення ≥20um (35um±10um) |