Чи знаєте ви про MOCVD Susceptor?

У процесі металоорганічного хімічного осадження з парової фази (MOCVD) суцептор є ключовим компонентом, відповідальним за підтримку пластини та забезпечення рівномірності та точного контролю процесу осадження. Його вибір матеріалу та характеристики продукту безпосередньо впливають на стабільність епітаксійного процесу та якість продукту.

Акцептор MOCVD(Металоорганічне хімічне осадження з парової фази) є ключовим компонентом процесу у виробництві напівпровідників. Він в основному використовується в процесі MOCVD (металоорганічне хімічне осадження з парової фази) для підтримки та нагрівання пластини для осадження тонкої плівки. Конструкція та вибір матеріалу суцептора мають вирішальне значення для однорідності, ефективності та якості кінцевого продукту.

Тип продукту та вибір матеріалу:

Конструкція та вибір матеріалів MOCVD Susceptor різноманітні, зазвичай визначаються вимогами процесу та умовами реакції.Нижче наведено загальні типи виробів і їх матеріали:

Токоприймач з SiC покриттям(Сусцептор з покриттям з карбіду кремнію):

Опис: Токоприймач із покриттям SiC із графітом або іншими високотемпературними матеріалами як підкладкою та покриттям CVD SiC (CVD SiC Coating) на поверхні для підвищення його зносостійкості та стійкості до корозії.

Застосування: широко використовується в процесах MOCVD у високотемпературних і висококорозійних газових середовищах, особливо в кремнієвій епітаксії та осадженні напівпровідників.

Сусцептор із покриттям TaC:

Опис: Токоприймач із покриттям TaC (CVD TaC Coating) як основний матеріал має надзвичайно високу твердість і хімічну стабільність і підходить для використання в надзвичайно корозійних середовищах.

Застосування: використовується в процесах MOCVD, які вимагають вищої стійкості до корозії та механічної міцності, таких як осадження нітриду галію (GaN) і арсеніду галію (GaAs).

Графітовий чутливий елемент із покриттям із карбіду кремнію для MOCVD:

Опис: Субстрат — графіт, а поверхня покрита шаром покриття CVD SiC для забезпечення стабільності та довговічності при високих температурах.

Застосування: підходить для використання в такому обладнанні, як реактори Aixtron MOCVD, для виробництва високоякісних складних напівпровідникових матеріалів.

Рецептор EPI (рецептор епітаксії):

Опис: Суцептор, спеціально розроблений для процесу епітаксійного росту, зазвичай із покриттям SiC або TaC для підвищення його теплопровідності та довговічності.

Застосування: у кремнієвій епітаксії та складній напівпровідниковій епітаксії використовується для забезпечення рівномірного нагрівання та осадження пластин.

Основна роль Susceptor для MOCVD в обробці напівпровідників:

Підтримка вафель і рівномірний нагрів:

Функція: Суцептор використовується для підтримки пластин у реакторах MOCVD і забезпечує рівномірний розподіл тепла за допомогою індукційного нагрівання або інших методів для забезпечення рівномірного осадження плівки.

Теплопровідність і стабільність:

Функція: теплопровідність і термічна стабільність матеріалів Susceptor є вирішальними. Токоприймачі з покриттям SiC і спіралі з покриттям TaC можуть підтримувати стабільність у високотемпературних процесах завдяки своїй високій теплопровідності та стійкості до високих температур, уникаючи дефектів плівки, викликаних нерівномірною температурою.

Корозійна стійкість і довгий термін служби:

Функція: у процесі MOCVD суцептор піддається впливу різних хімічних газів-попередників. Покриття SiC і покриття TaC забезпечують чудову стійкість до корозії, зменшують взаємодію між поверхнею матеріалу та реакційним газом і подовжують термін служби суцептора.

Оптимізація реакційного середовища:

Функція: Завдяки використанню високоякісних суцепторів потік газу та температурне поле в реакторі MOCVD оптимізуються, забезпечуючи рівномірний процес осадження плівки та покращуючи продуктивність і продуктивність пристрою. Він зазвичай використовується в фіксаторах для реакторів MOCVD і обладнання Aixtron MOCVD.

Характеристики продукту та технічні переваги：

Висока теплопровідність і термостійкість:

Особливості: Сусцептори з покриттям SiC і TaC мають надзвичайно високу теплопровідність, можуть швидко та рівномірно розподіляти тепло та підтримувати структурну стабільність при високих температурах, щоб забезпечити рівномірний нагрів пластин.

Переваги: ​​підходить для процесів MOCVD, які вимагають точного контролю температури, наприклад епітаксійного росту складних напівпровідників, таких як нітрид галію (GaN) і арсенід галію (GaAs).

Чудова стійкість до корозії:

Характеристики: покриття CVD SiC і покриття CVD TaC мають надзвичайно високу хімічну інертність і можуть протистояти корозії, викликаній висококорозійними газами, такими як хлориди та фториди, захищаючи підкладку Susceptor від пошкодження.

Переваги: ​​Подовження терміну служби Susceptor, зменшення частоти обслуговування та підвищення загальної ефективності процесу MOCVD.

Висока механічна міцність і твердість:

Характеристики: висока твердість і механічна міцність покриттів SiC і TaC дозволяють Susceptor витримувати механічні навантаження в середовищах з високою температурою і високим тиском і підтримувати тривалу стабільність і точність.

Переваги: ​​особливо підходить для процесів виробництва напівпровідників, які вимагають високої точності, таких як епітаксійне зростання та хімічне осадження з парової фази.

Застосування на ринку та перспективи розвитку

Сусцептори MOCVDшироко використовуються у виробництві світлодіодів високої яскравості, силових електронних пристроїв (таких як HEMT на основі GaN), сонячних елементів та інших оптоелектронних пристроїв. Зі зростанням попиту на напівпровідникові пристрої з вищою продуктивністю та меншим енергоспоживанням технологія MOCVD продовжує розвиватися, стимулюючи інновації в матеріалах і конструкціях Susceptor. Наприклад, розробка технології покриття SiC з більш високою чистотою та меншою щільністю дефектів, а також оптимізація структурного дизайну Susceptor для адаптації до більших пластин і складніших багатошарових епітаксійних процесів.

VeTek semiconductor Technology Co., LTD є провідним постачальником сучасних матеріалів для покриття для напівпровідникової промисловості. наша компанія зосереджена на розробці передових рішень для галузі.

Наші основні пропозиції продуктів включають CVD покриття з карбіду кремнію (SiC), покриття з карбіду танталу (TaC), насипний SiC, порошки SiC і матеріали SiC високої чистоти, графітовий чутливий пристрій із покриттям SiC, кільця попереднього нагріву, кільця відхилення з покриттям TaC, деталі півмісяця тощо ., чистота нижче 5 ppm, може задовольнити вимоги замовника.

VeTek semiconductor зосереджується на розробці передових технологій і рішень для розробки продуктів для напівпровідникової промисловості. Ми щиро сподіваємося стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.