- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Новини
Повідомляється, що китайські компанії разом з Broadcom розробляють 5-нм чіпи!
Відповідно до закордонних новин, 24 червня два джерела повідомили, що ByteDance співпрацює з американською компанією з розробки мікросхем Broadcom над розробкою вдосконаленого обчислювального процесора зі штучним інтелектом (AI), який допоможе ByteDance забезпечити адекватне постачання високоякісних......
Детальніше
Sanan Optoelectronics Co., Ltd.: Очікується, що 8-дюймові мікросхеми SiC будуть запущені у виробництво в грудні!
Будучи провідним виробником у галузі SiC, Sanan Optoelectronics пов’язана з цим динаміка отримала широку увагу в галузі. Нещодавно Sanan Optoelectronics оприлюднила серію останніх розробок, включаючи 8-дюймову трансформацію, виробництво нових підкладок, заснування нових компаній, державні субсидії т......
Детальніше
Застосування графітових деталей із TaC-покриттям у монокристалічних печах
У вирощуванні монокристалів SiC і AlN за допомогою методу фізичного переносу пари (PVT) ключові компоненти, такі як тигель, затравковий тримач і направляюче кільце, відіграють життєво важливу роль. Як показано на малюнку 2 [1], під час процесу PVT затравковий кристал розташовується в області нижчих ......
Детальніше
Різні технічні способи печі епітаксіального вирощування SiC
Підкладки з карбіду кремнію мають багато дефектів і не можуть бути оброблені безпосередньо. Спеціальна монокристалічна тонка плівка повинна бути вирощена на них за допомогою епітаксійного процесу, щоб зробити чіпові пластини. Ця тонка плівка є епітаксійним шаром. Майже всі пристрої з карбіду кремнію......
Детальніше
Матеріал епітаксія карбід кремнію
Матеріалом епітаксійного шару карбіду кремнію є карбід кремнію, який зазвичай використовується для виготовлення потужних електронних пристроїв і світлодіодів. Він широко використовується в напівпровідниковій промисловості завдяки чудовій термічній стабільності, механічній міцності та високій електро......
Детальніше
