Дно колектора для покриття SiC

VeTek Semiconductor є виробником, який прагне забезпечити високоякісне покриття CVD TaC і нижню частину колектора з покриттям CVD SiC і тісно співпрацює з обладнанням Aixtron для задоволення потреб наших клієнтів. Ми готові надати вам технічну підтримку та відповісти на будь-які ваші запитання, будь то оптимізація процесу чи розробка нового продукту.

Aixtron SiC Coating Collector Top, Collector Center і SiC Coating Collector Bottom продукти. Ці продукти є одними з ключових компонентів, які використовуються в передових процесах виробництва напівпровідників.

Комбінація верхньої, центральної та нижньої частини колектора з покриттям Aixtron SiC в обладнанні Aixtron відіграє такі важливі ролі:

Керування температурою: ці компоненти мають відмінну теплопровідність і здатні ефективно проводити тепло. Управління температурою має вирішальне значення у виробництві напівпровідників. Покриття SiC у верхній частині колектора, в центрі колектора та в нижній частині колектора з карбідом кремнію допомагають ефективно відводити тепло, підтримувати належні температури процесу та покращувати теплове керування обладнанням.

Хімічна інерція та стійкість до корозії: Верх колектора з покриттям Aixtron SiC, центр колектора та нижня частина колектора з покриттям SiC мають чудову хімічну інерцію та стійкі до хімічної корозії та окислення. Це дозволяє їм стабільно працювати в агресивних хімічних середовищах протягом тривалого часу, створюючи надійний захисний шар і подовжуючи термін служби компонентів.

Підтримка процесу електронно-променевого випаровування (EB): ці компоненти використовуються в обладнанні Aixtron для підтримки процесу електронно-променевого випаровування. Конструкція та вибір матеріалів верхньої частини колектора, центральної частини колектора та нижньої частини колектора з покриттям SiC допомагають досягти рівномірного осадження плівки та забезпечують стабільну підкладку для забезпечення якості та консистенції плівки.

Оптимізація середовища вирощування плівки: верхній колектор, центральний колектор і нижня частина колектора з покриттям SiC оптимізують середовище вирощування плівки в обладнанні Aixtron. Хімічна інертність і теплопровідність покриття допомагають зменшити кількість домішок і дефектів і покращити кристалічну якість і консистенцію плівки.

Використовуючи верхню частину колектора з покриттям Aixtron SiC, центральну частину колектора та нижню частину колектора з покриттям SiC, можна досягти термоконтролю та хімічного захисту в процесах виробництва напівпровідників, оптимізувати середовище для росту плівки, а також покращити якість і консистенцію плівки. Поєднання цих компонентів в обладнанні Aixtron забезпечує стабільні умови процесу та ефективне виробництво напівпровідників.

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC:

Промисловий ланцюг:

Виробничий цех