Кільце з покриттям з карбіду танталу

Напівпровідникове кільце VeTek з покриттям з карбіду танталу виготовлено зграфіті покритий карбідом танталу, поєднання найкращих властивостей обох матеріалів для забезпечення чудової продуктивності та довговічності. 

Покриття TaC на кільці з карбідом танталу гарантує, що воно залишається хімічно інертним у реактивних атмосферах печей для вирощування кристалів SiC, які часто містять такі гази, як водень, аргон і азот. Ця хімічна інертність життєво важлива для запобігання будь-якому забрудненню зростаючого кристала, яке може призвести до дефектів і зниження продуктивності кінцевих напівпровідникових продуктів. Крім того, термічна стабільність, яку забезпечує покриття TaC, дозволяє кільцю з покриттям з карбіду танталу ефективно працювати при високих температурах, необхідних для росту кристалів SiC, зазвичай понад 2000°C.

Механічні властивості TaC значно зменшують знос кільця з покриттям з карбіду танталу. Це має вирішальне значення через повторюваний характер процесу росту кристалів, який піддає направляюче кільце частим термічним циклам і механічним навантаженням. Твердість і зносостійкість TaC гарантують, що кільце з покриттям TaC зберігає свою структурну цілісність і точні розміри протягом тривалого часу, зводячи до мінімуму потребу в частих замінах і скорочуючи час простою в процесі виробництва. 

Крім того, поєднання графіту та TaC у кільці з покриттям з карбіду танталу оптимізує керування температурою в печі для вирощування кристалів. Висока теплопровідність графіту ефективно розподіляє тепло, запобігаючи появі гарячих точок і сприяючи рівномірному росту кристалів. У той же час покриття TaC служить тепловим бар’єром, захищаючи графітове ядро ​​від прямого впливу високих температур і реактивних газів. Ця синергія між серцевиною та матеріалами покриття призводить до створення направляючого кільця, яке не тільки витримує суворі умовиЗростання кристалів SiCале також підвищує загальну ефективність і якість процесу.

Напівпровідникове кільце VeTek з покриттям з карбіду танталу є важливим компонентом у напівпровідниковій промисловості, спеціально розробленим для зростанняКристали карбіду кремнію. Його конструкція використовує сильні сторони графіту та карбіду танталу для забезпечення виняткової продуктивності в умовах високої температури та високої напруги. Покриття TaC забезпечує хімічну інертність, механічну довговічність і термічну стабільність, що є критично важливим для виробництва високоякісних кристалів SiC. Зберігаючи свою цілісність і функціональність в екстремальних умовах, кільце підтримує ефективне і бездефектне зростання кристалів SiC, сприяючи вдосконаленню потужних і високочастотних напівпровідникових пристроїв.

VeTek Semiconductor є провідним виробником і постачальникомПокриття з карбіду танталу, Покриття з карбіду кремніюіСпеціальний графітв Китаї. Ми давно прагнемо надавати передові технології та продуктові рішення для напівпровідникової промисловості та щиро сподіваємось стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Покриття з карбіду танталу (TaC).на мікроскопічному поперечному зрізі：

Оглядланцюг епітаксії напівпровідникових мікросхем：