Підкладка SiC 4H N-типу

Vetek SemiconductorПідкладка SiC 4H N-типупродукти мають відмінні електричні, термічні та механічні властивості, тому цей продукт широко використовується в обробці напівпровідникових приладів, які потребують високої потужності, високої частоти, високої температури та високої надійності.

Напруженість електричного поля 4H N-типу SiC досягає 2,2-3,0 МВ/см. Ця особливість продукту дозволяє виготовляти менші пристрої для роботи з вищою напругою, тому наша підкладка 4H N-типу SiC часто використовується для виробництва MOSFET, Шотткі та JFET.

Теплопровідність пластини 4H N-типу SiC становить приблизно 4,9 Вт/см·К, що допомагає ефективно розсіювати тепло, зменшувати накопичення тепла, подовжувати термін служби пристрою та підходить для застосувань з високою щільністю потужності.

Крім того, пластина SiC N-типу Vetek Semiconductor 4H може мати стабільну електронну роботу при температурах до 600°C, тому її часто використовують для виготовлення високотемпературних датчиків і дуже добре підходять для екстремальних умов.

Вирощуючи епітаксіальний шар карбіду кремнію на підкладці з карбіду кремнію n-типу, гомоепітаксіальну пластину карбіду кремнію можна додатково перетворити на силові пристрої, такі як SBD, MOSFET, IGBT тощо, які використовуються в електромобілях, залізничному транспорті, високому -передача та перетворення електроенергії тощо.

Vetek Semiconductor продовжує прагнути до вищої якості кристалів і якості обробки для задоволення потреб клієнтів. Наразі доступні як 6-дюймові, так і 8-дюймові вироби. Нижче наведено основні параметри продукту для 6-дюймової та 8-дюймової підкладки SIC:

6-дюймова підкладка SiC N-типу ОСНОВНІ ТЕХНІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОДУКТУ:

8-дюймова підкладка SiC N-типу ОСНОВНІ ТЕХНІЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОДУКТУ:

Метод і термінологія виявлення підкладки SiC 4H N-типу: