Пористий карбід танталу

Напівпровідник VeTek Porous Tantalum Carbide (TaC) — це високоефективний керамічний матеріал, який поєднує в собі властивості танталу та вуглецю. Його пориста структура дуже підходить для застосування в умовах високої температури та екстремальних умов. TaC поєднує чудову твердість, термічну стабільність і хімічну стійкість, що робить його ідеальним вибором матеріалу для обробки напівпровідників.

Пористий карбід танталу (TaC) складається з танталу (Ta) і вуглецю (C), у якому тантал утворює міцний хімічний зв’язок з атомами вуглецю, що забезпечує надзвичайно високу міцність і зносостійкість матеріалу. Пориста структура Porous TaC створюється під час виробничого процесу матеріалу, і пористість можна контролювати відповідно до конкретних потреб застосування. Цей продукт зазвичай виробляєтьсяхімічне осадження з парової фази (CVD)метод, що забезпечує точний контроль його розміру пор і розподілу.

Молекулярна структура карбіду танталу

Напівпровідник VeTek з пористого карбіду танталу (TaC) має такі характеристики продукту:

- Пористість: Пориста структура надає йому різні функції в конкретних сценаріях застосування, включаючи дифузію газу, фільтрацію або контрольоване розсіювання тепла.

- Висока температура плавлення: Карбід танталу має надзвичайно високу температуру плавлення приблизно 3880°C, що підходить для середовища з надзвичайно високою температурою.

- Відмінна твердість: Пористий TaC має надзвичайно високу твердість приблизно 9-10 за шкалою твердості за Моосом, подібну до алмазу. і може протистояти механічному зносу в екстремальних умовах.

- Термічна стабільність: матеріал з карбіду танталу (TaC) може залишатися стабільним у середовищі з високою температурою та має високу термічну стабільність, що забезпечує стабільну роботу в середовищі з високою температурою.

- Висока теплопровідність: Незважаючи на свою пористість, пористий карбід танталу все ще зберігає хорошу теплопровідність, забезпечуючи ефективну теплопередачу.

- Низький коефіцієнт теплового розширення: Низький коефіцієнт теплового розширення карбіду танталу (TaC) допомагає матеріалу залишатися стабільними за розмірами за значних температурних коливань і зменшує вплив теплового стресу.

Фізичні властивості покриття TaC：

У виробництві напівпровідників пористий карбід танталу (TaC) відіграє наступну ключову роль:s:

У високотемпературних процесах, таких якплазмове травленняі CVD, напівпровідник VeTek, пористий карбід танталу, часто використовується як захисне покриття для технологічного обладнання. Це пояснюється високою стійкістю до корозіїПокриття TaCі його стійкість до високих температур. Ці властивості забезпечують ефективний захист поверхонь, які піддаються впливу реактивних газів або екстремальних температур, тим самим забезпечуючи нормальну реакцію високотемпературних процесів.

У дифузійних процесах пористий карбід танталу може служити ефективним дифузійним бар’єром для запобігання змішуванню матеріалів у високотемпературних процесах. Ця функція часто використовується для керування дифузією легуючих домішок у таких процесах, як іонна імплантація та контроль чистоти напівпровідникових пластин.

Пориста структура напівпровідника VeTek Porous Tantalum Carbide дуже підходить для середовищ обробки напівпровідників, які потребують точного контролю потоку газу або фільтрації. У цьому процесі Porous TaC в основному відіграє роль фільтрації та розподілу газу. Його хімічна інертність гарантує відсутність забруднень під час процесу фільтрації. Це фактично гарантує чистоту обробленого продукту.

Покриття з карбіду танталу (TaC) на мікроскопічному поперечному зрізі: