CVD SiC Coating Deffle від Vetek Semiconductor в основному використовується в епітаксії Si. Зазвичай використовується з силіконовими подовжувачами. Він поєднує в собі унікальну високу температуру та стабільність CVD SiC Coating Baffle, що значно покращує рівномірний розподіл повітряного потоку у виробництві напівпровідників. Ми віримо, що наша продукція може запропонувати вам передові технології та високоякісні продуктові рішення.
Як професійний виробник, ми хочемо забезпечити вам високу якістьПерегородка з покриттям CVD SiC.
Завдяки постійному інноваційному розвитку процесів і матеріалів,Vetek Semiconductor'sПерегородка з покриттям CVD SiCмає унікальні характеристики високотемпературної стабільності, стійкості до корозії, високої твердості та зносостійкості. Ці унікальні характеристики визначають, що CVD SiC Coating Deffle відіграє важливу роль у епітаксійному процесі, і його роль в основному включає наступні аспекти:
Рівномірний розподіл повітряного потоку: Геніальна конструкція CVD SiC Coating Baffle дозволяє досягти рівномірного розподілу повітряного потоку під час процесу епітаксії. Рівномірний потік повітря необхідний для рівномірного росту та покращення якості матеріалів. Продукт може ефективно направляти повітряний потік, уникати надмірного або слабкого місцевого повітряного потоку та забезпечувати однорідність епітаксійних матеріалів.
Контролюйте процес епітаксії: Розташування та конструкція CVD SiC Coating Deffle дозволяє точно контролювати напрямок потоку та швидкість потоку повітря під час процесу епітаксії. Налаштувавши його компонування та форму, можна досягти точного контролю повітряного потоку, тим самим оптимізуючи умови епітаксії та покращуючи продуктивність і якість епітаксії.
Зменшити матеріальні втрати: Розумне налаштування CVD SiC Coating Baffle може зменшити втрати матеріалу під час процесу епітаксії. Рівномірний розподіл повітряного потоку може зменшити термічну напругу, спричинену нерівномірним нагріванням, знизити ризик поломки та пошкодження матеріалу та подовжити термін служби епітаксійних матеріалів.
Підвищення ефективності епітаксії: Конструкція CVD SiC Coating Baffle може оптимізувати ефективність передачі повітряного потоку та підвищити ефективність і стабільність процесу епітаксії. Завдяки використанню цього продукту можна максимізувати функції епітаксійного обладнання, підвищити ефективність виробництва та зменшити споживання енергії.
Основні фізичні властивостіПерегородка з покриттям CVD SiC:
Цех виробництва CVD SiC покриттів:
Огляд мережі індустрії епітаксії напівпровідникових мікросхем: