CVD SiC млинцевий чутливий елемент

Чудові фізичні властивості

VeTek Semiconductor CVD SiC Pancake Susceptor виготовлено з використанням новітньої технології хімічного осадження з парової фази (CVD), щоб забезпечити чудову довговічність і адаптацію до екстремальних температур. Ось його основні фізичні властивості:

● Термостабільність: Висока термічна стабільність CVD SiC забезпечує стабільну роботу в умовах високої температури.

● Низький коефіцієнт теплового розширення: матеріал має надзвичайно низький коефіцієнт теплового розширення, що мінімізує викривлення та деформацію, спричинені змінами температури.

● Стійкість до хімічної корозії: Відмінна хімічна стійкість дозволяє підтримувати високу продуктивність у різноманітних суворих середовищах.

Точна підтримка та оптимізована теплопередача

Покриття SiC на основі млинця від VeTekSemi призначене для розміщення напівпровідникових пластин і забезпечує відмінну підтримку під час епітаксійного осадження. SiC Pancake Susceptor розроблено з використанням передової технології обчислювального моделювання для мінімізації викривлення та деформації за різних умов температури та тиску. Його типовий коефіцієнт теплового розширення становить близько 4,0 × 10^^-6/°C, що означає, що стабільність розмірів значно краща, ніж у традиційних матеріалів у високотемпературному середовищі, що забезпечує постійну товщину пластини (зазвичай від 200 мм до 300 мм).

Крім того, CVD Pancake Susceptor чудово передає тепло з теплопровідністю до 120 Вт/м·К. Така висока теплопровідність може швидко й ефективно проводити тепло, покращувати рівномірність температури в печі, забезпечувати рівномірний розподіл тепла під час епітаксійного осадження та зменшувати дефекти осадження, спричинені нерівномірним нагріванням. Оптимізована продуктивність теплопередачі має вирішальне значення для покращення якості осадження, яке може ефективно зменшити коливання процесу та підвищити вихід.

Завдяки цій оптимізації дизайну та продуктивності CVD SiC Pancake Susceptor від VeTek Semiconductor забезпечує надійну основу для виробництва напівпровідників, забезпечуючи надійність і послідовність у суворих умовах обробки та відповідаючи суворим вимогам сучасної напівпровідникової промисловості щодо високої точності та якості.

CVD SIC ПЛІВКА КРИСТАЛІЧНА СТРУКТУРА

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC
Власність	Типове значення
Кристалічна структура	FCC β-фаза полікристалічна, переважно (111) орієнтована
Щільність	3,21 г/см³
Твердість	Твердість за Віккерсом 2500 (навантаження 500 г)
Розмір зерна	2~10 мкм
Хімічна чистота	99,99995%
Теплоємність	640 Дж·кг-1·К-1
Температура сублімації	2700 ℃
Міцність на згин	415 МПа RT 4-точковий
Модуль Юнга	430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃
Теплопровідність	300 Вт·м-1·К-1
Теплове розширення (CTE)	4,5×10-6K-1