Пористий графіт високої чистоти

Пористий графіт високої чистоти, наданий компанією VeTek Semiconductor, є вдосконаленим матеріалом для обробки напівпровідників. Він виготовлений з високочистого вуглецевого матеріалу з чудовою теплопровідністю, хорошою хімічною стабільністю та чудовою механічною міцністю. Цей пористий графіт високої чистоти відіграє важливу роль у процесі вирощування монокристалічного SiC. VeTek Semiconductor прагне надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами та сподівається стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Надіслати запит

Опис продукту

Високоякісний пористий графіт VeTek Semiconductor High Purity Porous Graphite пропонує китайський виробник VeTek Semiconductor. Купуйте напівпровідник VeTek High Purity Porous Graphite високої якості безпосередньо за низькою ціною.

VeTek Semiconductor High Purity Porous Graphite є шедевром термостійких матеріалів, здатних витримувати екстремальні температури в напівпровідникових печах. Його чудова міцність і довговічність означає менше замін і менше простоїв, що призводить до значної економії з часом.

Ми виробляємо пористий графіт високої чистоти з джерел вуглецю найвищої якості, щоб забезпечити мінімальний вміст домішок і мінімальний ризик забруднення. Така висока чистота означає вищі врожаї та чудову продуктивність напівпровідникових пристроїв.

Вибирайте пористий графіт високої чистоти, де його виняткова термічна стабільність забезпечує постійну продуктивність, що робить його ідеальним для критичної обробки напівпровідників.

Оновіть своє виробництво напівпровідників сьогодні, щоб використовувати пористий графіт високої чистоти – матеріал, який змінює спосіб виробництва технологій завтрашнього дня. Зв’яжіться з нами сьогодні, щоб обговорити ваші конкретні потреби та вирушити на шлях інновацій у виробництві напівпровідників. Давайте працювати разом, щоб створити найкраще майбутнє виробництва напівпровідників!

Параметр продукту пористого графіту високої чистоти

Типові фізичні властивості пористого графіту
предмети	Параметр
Об'ємна щільність	0,89 г/куб.куб
Міцність на стиск	8,27 МПа
Міцність на вигин	8,27 МПа
Міцність на розрив	1,72 МПа
Питомий опір	130Ω-inX10-5
пористість	50%
Середній розмір пор	70um
Теплопровідність	12 Вт/М*К