Токоприймач бочки з SiC покриттям
  • Токоприймач бочки з SiC покриттямТокоприймач бочки з SiC покриттям
  • Токоприймач бочки з SiC покриттямТокоприймач бочки з SiC покриттям

Токоприймач бочки з SiC покриттям

VeTek Semiconductor пропонує повний набір компонентів для реакційних камер кремнієвої епітаксії LPE, що забезпечує тривалий термін служби, стабільну якість і покращений вихід епітаксійного шару. Наш продукт, такий як SiC Coated Barrel Suceptor, отримав відгук від клієнтів. Ми також надаємо технічну підтримку для Si Epi, SiC Epi, MOCVD, UV-LED Epitaxy тощо. Не соромтеся запитувати інформацію про ціни.

Надіслати запит

Опис продукту

VeTek Semiconductor є провідним китайським виробником, постачальником і експортером покриттів SiC і TaC. Дотримуючись прагнення до бездоганної якості продукції, так що багато клієнтів задовольнили нашу бочку з SiC покриттям. Екстремальний дизайн, якісна сировина, висока продуктивність і конкурентоспроможна ціна – це те, чого хоче кожен клієнт, і це також те, що ми можемо вам запропонувати. Звичайно, також важливим є наше ідеальне післяпродажне обслуговування. Якщо ви зацікавлені в наших послугах SiC Coated Barrel Barrel, ви можете проконсультуватися з нами зараз, ми відповімо вам вчасно!

Напівпровідник VeTek Semiconductor SiC Coated Barrel Susceptor в основному використовується для реакторів LPE Si EPI.

Кремнієва епітаксія LPE (Liquid Phase Epitaxy) — це широко використовувана техніка епітаксійного росту напівпровідників для нанесення тонких шарів монокристалічного кремнію на кремнієві підкладки. Це рідкофазний метод росту, заснований на хімічних реакціях у розчині для досягнення росту кристалів.

Основний принцип кремнієвої епітаксії LPE передбачає занурення підкладки в розчин, що містить потрібний матеріал, контроль температури та складу розчину, що дозволяє матеріалу в розчині рости як шар монокристалічного кремнію на поверхні підкладки. Шляхом регулювання умов вирощування та складу розчину під час епітаксійного вирощування можна досягти бажаної якості кристалів, товщини та концентрації легування.

Кремнієва епітаксія LPE має кілька характеристик і переваг. По-перше, його можна виконувати при відносно низьких температурах, зменшуючи теплову напругу та дифузію домішок у матеріалі. По-друге, кремнієва епітаксія LPE забезпечує високу однорідність і чудову якість кристалів, що підходить для виробництва високопродуктивних напівпровідникових пристроїв. Крім того, технологія LPE дозволяє вирощувати складні структури, такі як багатошарові та гетероструктури.

У кремнієвій епітаксії LPE важільним епітаксійним компонентом є SiC Coated Barrel Susceptor. Зазвичай він використовується для утримання та підтримки кремнієвих підкладок, необхідних для епітаксійного росту, одночасно забезпечуючи контроль температури та атмосфери. Покриття SiC підвищує довговічність при високій температурі та хімічну стабільність чутливого елемента, що відповідає вимогам процесу епітаксійного росту. Використовуючи SiC Coated Barrel Susceptor, ефективність і узгодженість епітаксійного росту можна покращити, забезпечуючи зростання високоякісних епітаксійних шарів.


Основні фізичні властивості покриття CVD SiC:

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC
Власність Типове значення
Кристалічна структура FCC β-фаза полікристалічна, переважно (111) орієнтована
Щільність 3,21 г/см³
Твердість Твердість за Віккерсом 2500 (навантаження 500 г)
Розмір зерна 2~10 мкм
Хімічна чистота 99,99995%
Теплоємність 640 Дж·кг-1·K-1
Температура сублімації 2700 ℃
Сила гнучкості 415 МПа RT 4-точковий
Модуль Юнга 430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃
Теплопровідність 300 Вт·м-1·K-1
Теплове розширення (CTE) 4,5×10-6K-1



Цех виробництва напівпровідників VeTek


Огляд мережі індустрії епітаксії напівпровідникових мікросхем:


Гарячі теги: Стовбур із SiC покриттям, Китай, Виробник, Постачальник, Фабрика, Індивідуальний, Купуйте, Розширений, Міцний, Зроблено в Китаї
Пов'язана категорія
Надіслати запит
Будь ласка, надішліть свій запит у формі нижче. Ми відповімо вам протягом 24 годин.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept