Епірецептор із покриттям SiC

Як провідний вітчизняний виробник покриттів з карбіду кремнію та карбіду танталу, VeTek Semiconductor може забезпечити точну обробку та однорідне покриття SiC Coated Epi Susceptor, ефективно контролюючи чистоту покриття та продукту нижче 5 ppm. Термін служби продукту можна порівняти з терміном служби SGL. Ласкаво просимо до нас.

Надіслати запит

Опис продукту

Ви можете бути впевнені, купуючи SiC Coated Epi Susceptor на нашому заводі.

VeTek Semiconductor SiC Coated Epi Susceptor is Epitaxial barrel — це спеціальний інструмент для процесу епітаксійного росту напівпровідників із багатьма перевагами:

Ефективна виробнича потужність: SiC Coated Epi Susceptor може вміщувати кілька пластин, що дає змогу виконувати епітаксіальне зростання кількох пластин одночасно. Ця ефективна виробнича потужність може значно підвищити ефективність виробництва та скоротити виробничі цикли та витрати.

Оптимізований контроль температури: SiC Coated Epi Susceptor оснащено передовою системою контролю температури для точного контролю та підтримки бажаної температури росту. Стабільний контроль температури допомагає досягти рівномірного росту епітаксійного шару та покращити якість і консистенцію епітаксійного шару.

Рівномірний розподіл атмосфери: SiC Coated Epi Susceptor забезпечує рівномірний розподіл атмосфери під час росту, гарантуючи, що кожна пластина піддається впливу однакових атмосферних умов. Це допомагає уникнути відмінностей росту між пластинами та покращує однорідність епітаксійного шару.

Ефективний контроль домішок: конструкція Epi Susceptor з SiC покриттям допомагає зменшити введення та дифузію домішок. Він може забезпечити хорошу герметизацію та контроль атмосфери, зменшити вплив домішок на якість епітаксійного шару та таким чином підвищити продуктивність і надійність пристрою.

Розробка гнучкого процесу: SiC Coated Epi Susceptor має гнучкі можливості розробки процесу, які дозволяють швидко коригувати та оптимізувати параметри росту. Це дозволяє дослідникам та інженерам проводити швидку розробку та оптимізацію процесів, щоб задовольнити потреби в епітаксіальному зростанні для різних додатків і вимог.

Основні фізичні властивості покриття CVD SiC:

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC
Власність	Типове значення
Кристалічна структура	FCC β-фаза полікристалічна, переважно (111) орієнтована
Щільність	3,21 г/см³
Твердість	Твердість за Віккерсом 2500 (навантаження 500 г)
Розмір зерна	2~10 мкм
Хімічна чистота	99,99995%
Теплоємність	640 Дж·кг-1·K-1
Температура сублімації	2700 ℃
Сила гнучкості	415 МПа RT 4-точковий
Модуль Юнга	430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃
Теплопровідність	300 Вт·м-1·K-1
Теплове розширення (CTE)	4,5×10-6K-1