Китай Епітаксія з карбіду кремнію Виробник, Постачальник, Завод

Підготовка високоякісної епітаксії карбіду кремнію залежить від передових технологій, обладнання та аксесуарів до обладнання. В даний час найбільш широко використовуваним методом епітаксії карбіду кремнію є хімічне осадження з газової фази (CVD). Він має такі переваги, як точний контроль товщини епітаксійної плівки та концентрації легування, менша кількість дефектів, помірна швидкість росту, автоматичне керування процесом тощо, і це надійна технологія, яка успішно застосована в комерційних цілях.

CVD-епітаксія з карбіду кремнію зазвичай використовує CVD-обладнання з гарячою або теплою стінкою, яке забезпечує продовження шару епітаксії 4H кристалічного SiC в умовах високої температури росту (1500 ~ 1700 ℃), CVD з гарячою або теплою стінкою після років розробки, відповідно до співвідношення між напрямком потоку повітря на вході та поверхнею підкладки, реакційну камеру можна розділити на реактор з горизонтальною структурою та реактор з вертикальною структурою.

Існують три основні показники якості епітаксіальної печі SIC. Перший - це ефективність епітаксіального росту, включаючи однорідність товщини, однорідність легування, рівень дефектів і швидкість росту; По-друге, температурні показники самого обладнання, включаючи швидкість нагріву/охолодження, максимальну температуру, рівномірність температури; Нарешті, вартість самого обладнання, включаючи ціну та потужність окремої одиниці.

Три види епітаксійної печі для вирощування карбіду кремнію та відмінності аксесуарів для серцевини

Горизонтальна CVD з гарячою стінкою (типова модель PE1O6 компанії LPE), планетарна CVD з гарячою стінкою (типова модель Aixtron G5WWC/G10) і квазігаряча стінка CVD (представлена ​​EPIREVOS6 компанії Nuflare) є основними технічними рішеннями епітаксійного обладнання, які були реалізовані у комерційних програмах на цьому етапі. Три технічні пристрої також мають свої особливості і можуть бути обрані відповідно до попиту. Їх структура представлена ​​таким чином:

Відповідні основні компоненти такі:

(a) Основна частина горизонтального типу з гарячою стіною - складається з частин Halfmoon

Ізоляція внизу

Основний утеплювач верху

Верхній півмісяць

Ізоляція вище по течії

Перехідна частина 2

Перехідна частина 1

Зовнішнє повітряне сопло

Конусна трубка

Зовнішнє сопло газу аргону

Аргонова насадка

Вафельна опорна пластина

Центруючий штифт

Центральна охорона

Нижня ліва захисна кришка

Нижня права захисна кришка

Передня ліва захисна кришка

Верхня права захисна кришка

Бічна стінка

Графітне кільце

Захисний фетр

Опорний фетр

Контактний блок

Газовий циліндр

(b)Тепла стіна планетарного типу

Планетарний диск із покриттям SiC і планетарний диск із покриттям TaC

(c) Квазітермічний настінний тип

Nuflare (Японія): Ця компанія пропонує двокамерні вертикальні печі, які сприяють підвищенню продуктивності. Обладнання має високу швидкість обертання до 1000 обертів на хвилину, що є дуже корисним для епітаксійної рівномірності. Крім того, його напрямок повітряного потоку відрізняється від іншого обладнання, будучи вертикальним вниз, таким чином мінімізуючи утворення частинок і зменшуючи ймовірність падіння крапель частинок на пластини. Для цього обладнання ми пропонуємо основні графітові компоненти з SiC-покриттям.

Як постачальник компонентів SiC епітаксійного обладнання, VeTek Semiconductor прагне надавати клієнтам високоякісні компоненти покриття для підтримки успішного впровадження SiC епітаксії.