Дефлекторне кільце з покриттям TaC

Дефлекторне кільце з покриттям TaC компанії VeTek Semiconductor — це вузькоспеціалізований компонент, розроблений для процесів вирощування кристалів SiC. Покриття TaC забезпечує чудову стійкість до високих температур і хімічну інертність, щоб справлятися з високими температурами та корозійним середовищем під час процесу росту кристалів. Це забезпечує стабільну роботу і тривалий термін служби компонента, зменшуючи частоту замін і простоїв. Ми прагнемо надавати якісну продукцію за конкурентоспроможними цінами та сподіваємося стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Надіслати запит

Опис продукту

VeTek Semiconductor є професійним китайським виробником і постачальником дефлекторного кільця з покриттям TaC. Наше кільце дефлектора з покриттям TaC є вузькоспеціалізованими компонентами, розробленими для використання в процесах вирощування кристалів SiC. Ці компоненти є критично важливими в середовищах, які вимагають стійкості до високих температур, виняткової довговічності та неперевершеної хімічної інертності.

Дефлекторне кільце з покриттям TaC виготовлено з карбіду танталу високої чистоти, який забезпечує чудову теплопровідність і надзвичайну стійкість до високих температур і теплового удару. TaC-покриття компонента забезпечує додатковий шар захисту від агресивних хімічних речовин і несприятливого середовища, типового для росту кристалів. Наявність покриття збільшує довговічність і термін служби компонента, зберігаючи постійну продуктивність протягом декількох циклів.

Дефлекторне кільце з покриттям TaC може витримувати температуру до 2200°C, що робить його ідеальним для високотемпературних процесів. Кільце дефлектора з покриттям TaC в основному використовується в напівпровідниковій промисловості, зокрема для росту кристалів карбіду кремнію. Підходить як для дослідницьких, так і для промислових реакторів вирощування кристалів.

Параметр продукту дефлекторного кільця з покриттям TaC

Фізичні властивості покриття TaC
Щільність	14,3 (г/см³)
Питома випромінювальна здатність	0.3
Коефіцієнт теплового розширення	6.3 10-6/К
Твердість (HK)	2000 HK
опір	1×10-5 Ом*см
Термостабільність	<2500 ℃
Розмір графіту змінюється	-10~-20 мкм
Товщина покриття	Типове значення ≥20um (35um±10um)