Вафельний підйомник

VeTek Semiconductor є провідним виробником і новатором EPI Wafer Lift Pin у Китаї. Ми спеціалізуємося на покритті SiC на поверхні графіту протягом багатьох років. Ми пропонуємо EPI Wafer Lift Pin для процесу Epi. Завдяки високій якості та конкурентоспроможній ціні ми раді завітати на наш завод у Китаї.

Надіслати запит

Опис продукту

VeTek Semiconductor забезпечує покриття SiC і матеріал покриття TaC із конкурентоспроможною ціною та високою якістю, ласкаво просимо до нас.

Підйомний штифт пластини VeTek Semiconductor EPI є ключовим пристроєм, спеціально розробленим для виробництва напівпровідників. Він використовується для підйому та транспортування пластин, забезпечуючи їхню безпеку та стабільність під час виробництва. Ми пропонуємо підйомний штифт пластини з покриттям SiC, штифт наконечника, кільце попереднього нагрівання для процесу EPI.

Наші штифти EPI для підйому пластин мають такі функції та переваги:

● Висока точність і стабільність: Наші штифти для підйому пластин EPI використовують передові процеси та матеріали для забезпечення високої точності та стабільності під час підйому та обробки пластин. Він може точно позиціонувати та фіксувати пластини, уникаючи відхилення та пошкодження пластин під час виготовлення.

● Безпека та надійність: Наші підйомні штифти EPI виготовляються з високоміцних матеріалів, що забезпечує чудову довговічність і надійність. Він здатний витримувати вагу та тиск, гарантуючи, що пластина не буде пошкоджена або випадково не впаде під час транспортування.

● Автоматизація та ефективність: Наші штифти для підйому пластини EPI розроблені для автономної роботи та бездоганної інтеграції з обладнанням для виробництва напівпровідників. Він може швидко й точно піднімати та переміщувати пластини, підвищуючи ефективність виробництва та зменшуючи потребу в ручних операціях.

● Сумісність і застосовність: Наші штифти для підйому пластин EPI підходять для широкого діапазону розмірів і типів пластин, включаючи пластини різного діаметру та матеріалів. Він може бути сумісний з різноманітним обладнанням і процесами для виробництва напівпровідників і підходить для різноманітних виробничих середовищ.

● Якісна та надійна підтримка: Ми прагнемо надавати високоякісні та надійні продукти та надавати всебічну підтримку та обслуговування нашим клієнтам. Наші вафельні підйомні штифти проходять суворий контроль якості та випробування, щоб гарантувати їх ефективність і довговічність.

Незалежно від того, займаєтеся ви виробництвом пластин, дослідженням і розробкою напівпровідників або виробництвом, наші штифти для підйому пластин забезпечать вам надійне рішення. Зв’яжіться з нами, щоб дізнатися більше про нашу продукцію для вафельних підйомних штифтів і почати працювати разом заради блискучого майбутнього!

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC:

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC
Власність	Типове значення
Кристалічна структура	FCC β-фаза полікристалічна, переважно (111) орієнтована
Щільність	3,21 г/см³
Твердість	Твердість за Віккерсом 2500 (навантаження 500 г)
Розмір зерна	2~10 мкм
Хімічна чистота	99,99995%
Теплоємність	640 Дж·кг^-1·К^-1
Температура сублімації	2700 ℃
Міцність на згин	415 МПа RT 4-точковий
Модуль Юнга	430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃
Теплопровідність	300 Вт·м^-1·К^-1
Теплове розширення (CTE)	4,5×10^-6K^-1