CVD SiC графітовий циліндр
  • CVD SiC графітовий циліндрCVD SiC графітовий циліндр

CVD SiC графітовий циліндр

CVD SiC-графітовий циліндр від Vetek Semiconductor є ключовим у напівпровідниковому обладнанні, слугуючи захисним екраном у реакторах для захисту внутрішніх компонентів при високих температурах і тиску. Він ефективно захищає від хімічних речовин і сильної спеки, зберігаючи цілісність обладнання. Завдяки винятковій стійкості до зносу та корозії, він забезпечує довговічність і стабільність у складних умовах. Використання цих чохлів покращує продуктивність напівпровідникових пристроїв, подовжує термін служби та зменшує вимоги до обслуговування та ризики пошкодження. Ласкаво просимо до нас.

Надіслати запит

Опис продукту

Графітовий циліндр CVD SiC компанії Vetek Semiconductor відіграє важливу роль у напівпровідниковому обладнанні. Зазвичай він використовується як захисне покриття всередині реактора, щоб забезпечити захист внутрішніх компонентів реактора в середовищах високої температури та високого тиску. Цей захисний кожух може ефективно ізолювати хімічні речовини та високі температури в реакторі, запобігаючи їх пошкодженню обладнання. У той же час графітовий циліндр CVD SiC також має чудову стійкість до зносу та корозії, завдяки чому він здатний зберігати стабільність і довгострокову довговічність у суворих робочих умовах. Використовуючи захисні кришки з цього матеріалу, можна покращити продуктивність і надійність напівпровідникових пристроїв, подовжуючи термін служби пристрою, одночасно зменшуючи потреби в обслуговуванні та ризик пошкодження.

Графітовий циліндр CVD SiC має широкий спектр застосувань у напівпровідниковому обладнанні, включаючи, але не обмежуючись, наступні аспекти:

Обладнання для термічної обробки: Графітовий циліндр CVD SiC можна використовувати як захисну кришку або тепловий екран в обладнанні для термічної обробки для захисту внутрішніх компонентів від високих температур, забезпечуючи чудову стійкість до високих температур.

Реактор хімічного осадження з парової фази (CVD): у реакторі CVD CVD SiC графітовий циліндр можна використовувати як захисне покриття для камери хімічної реакції, ефективно ізолюючи реакційну речовину та забезпечуючи стійкість до корозії.

Застосування в корозійних середовищах: завдяки своїй чудовій стійкості до корозії графітовий циліндр CVD SiC можна використовувати в середовищах, схильних до хімічної корозії, таких як корозійний газ або рідина під час виробництва напівпровідників.

Обладнання для вирощування напівпровідників: захисні кришки або інші компоненти, що використовуються в обладнанні для вирощування напівпровідників для захисту обладнання від високих температур, хімічної корозії та зношування для забезпечення стабільності та довгострокової надійності обладнання.

Висока температурна стабільність, стійкість до корозії, відмінні механічні властивості, теплопровідність. Завдяки цій чудовій продуктивності це допомагає більш ефективно розсіювати тепло в напівпровідникових пристроях, зберігаючи стабільність і продуктивність пристрою.


Основні фізичні властивості покриття CVD SiC:

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC
Власність Типове значення
Кристалічна структура FCC β-фаза полікристалічна, переважно (111) орієнтована
Щільність 3,21 г/см³
Твердість Твердість за Віккерсом 2500 (навантаження 500 г)
Розмір зерна 2~10 мкм
Хімічна чистота 99,99995%
Теплоємність 640 Дж·кг-1·K-1
Температура сублімації 2700 ℃
Міцність на згин 415 МПа RT 4-точковий
Модуль Юнга 430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃
Теплопровідність 300 Вт·м-1·K-1
Теплове розширення (CTE) 4,5×10-6K-1


Виробничі цехи:


Огляд мережі індустрії епітаксії напівпровідникових мікросхем:


Гарячі теги:
Пов'язана категорія
Надіслати запит
Будь ласка, надішліть свій запит у формі нижче. Ми відповімо вам протягом 24 годин.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept