LPE SiC EPI Halfmoon

LPE SiC Epi Halfmoon від VeTek Semiconductor, революційний продукт, розроблений для вдосконалення процесів епітаксії SiC в реакторі LPE. Це передове рішення може похвалитися декількома ключовими функціями, які забезпечують чудову продуктивність і ефективність під час ваших виробничих операцій. З нетерпінням чекаємо налагодження довгострокової співпраці з вами.

Надіслати запит

Опис продукту

Як професійний виробник, VeTek Semiconductor хоче надати вам високоякісний LPE SiC Epi Halfmoon.

LPE SiC Epi Halfmoon забезпечує виняткову точність і точність, гарантуючи рівномірний ріст і високоякісні епітаксійні шари. Його інноваційний дизайн і передові технології виробництва забезпечують оптимальну підтримку пластин і температурний контроль, забезпечуючи стабільні результати та мінімізуючи дефекти.

Крім того, LPE SiC Epi Halfmoon покритий високоякісним шаром карбіду танталу (TaC), що покращує його продуктивність і довговічність. Це покриття TaC значно покращує теплопровідність, хімічну стійкість і зносостійкість, захищаючи виріб і подовжуючи термін його служби.

Інтеграція покриття TaC у LPE SiC Epi Halfmoon значно покращує ваш процес. Він покращує терморегулювання, забезпечуючи ефективне розсіювання тепла та підтримуючи стабільну температуру росту. Це вдосконалення призводить до підвищення стабільності процесу, зниження теплового стресу та покращення загального виходу.

Крім того, покриття TaC зводить до мінімуму забруднення матеріалу, забезпечуючи чистіше та багато іншого

контрольований процес епітаксії. Він діє як бар’єр проти небажаних реакцій і домішок, що призводить до більш високої чистоти епітаксійних шарів і покращення продуктивності пристрою.

Виберіть LPE SiC Epi Halfmoon від VeTek Semiconductor для неперевершених процесів епітаксії. Відчуйте переваги передового дизайну, точності та трансформаційної сили покриття TaC для оптимізації виробничих операцій. Підвищте продуктивність і досягніть виняткових результатів за допомогою провідного в галузі рішення VeTek Semiconductor.

Параметр продукту LPE SiC Epi Halfmoon:

Фізичні властивості покриття TaC
Щільність	14,3 (г/см³)
Питома випромінювальна здатність	0.3
Коефіцієнт теплового розширення	6.3 10-6/К
Твердість (HK)	2000 HK
опір	1×10-5 Ом*см
Термостабільність	<2500 ℃
Розмір графіту змінюється	-10~-20 мкм
Товщина покриття	Типове значення ≥20um (35um±10um)