SiC-покриття ALD-суцептор

VeTek SemiconductorSiC-покриття ALD-суцепторвідіграє життєво важливу роль в осадженні атомного шару (ALD) процес. Його точний контроль температури, рівномірний розподіл газу, висока хімічна стійкість і відмінна теплопровідність забезпечують рівномірність і високу якість процесу осадження плівки. Якщо ви хочете дізнатися більше, ви можете негайно проконсультуватися з нами, і ми відповімо вам вчасно!

Точний контроль температури:

ALD-суцептор із покриттям SiC зазвичай має високоточну систему контролю температури. Він здатний підтримувати рівномірну температуру середовища протягом усього процесу осадження, що є вирішальним для забезпечення однорідності та якості плівки.

Рівномірний розподіл газу:

Оптимізована конструкція ALD-суцептора з покриттям SiC забезпечує рівномірний розподіл газу під час процесу осадження ALD. Його структура зазвичай включає кілька обертових або рухомих частин для забезпечення рівномірного покриття реактивними газами по всій поверхні пластини.

Висока хімічна стійкість:

Оскільки процес ALD включає в себе різноманітні хімічні гази, то ALD-суцептор із покриттям SiC зазвичай виготовляється з корозійностійких матеріалів (таких як платина, кераміка або кварц високої чистоти), щоб протистояти ерозії хімічних газів і впливу середовища з високою температурою.

Відмінна теплопровідність:

Щоб ефективно проводити тепло і підтримувати стабільну температуру осадження, токоприймачі ALD із покриттям SiC зазвичай використовують матеріали з високою теплопровідністю. Це допомагає уникнути локального перегріву та нерівномірного осадження.

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC:

Виробничі цехи:

Огляд мережі індустрії епітаксії напівпровідникових мікросхем：