Пористий графіт з покриттям з карбіду танталу є незамінним продуктом у процесі обробки напівпровідників, особливо в процесі вирощування кристалів SIC. Після безперервних інвестицій у науково-дослідні розробки та модернізацію технологій якість продукту з пористого графіту з покриттям TaC від VeTek Semiconductor отримала високу оцінку європейських та американських клієнтів. Ласкаво просимо на подальшу консультацію.
Напівпровідник VeTek Porous Graphite з покриттям з карбіду танталу став кристалом карбіду кремнію (SiC) завдяки своїй надвисокій термостійкості (температура плавлення близько 3880°C), відмінній термічній стабільності, механічній міцності та хімічній інертності у високотемпературному середовищі. Незамінний матеріал у процесі росту. Зокрема, його пориста структура забезпечує багато технічних переваг дляпроцес росту кристалів.
● Підвищення ефективності потоку газу та точне керування параметрами процесу
Мікропориста структура Porous Graphite може сприяти рівномірному розподілу реакційних газів (таких як карбідний газ і азот), тим самим оптимізуючи атмосферу в зоні реакції. Ця характеристика може ефективно уникнути локального накопичення газу або проблем з турбулентністю, забезпечити рівномірне навантаження на кристали SiC протягом усього процесу росту, а також значно зменшити кількість дефектів. У той же час пориста структура також дозволяє точно регулювати градієнти тиску газу, додатково оптимізуючи швидкість росту кристалів і покращуючи консистенцію продукту.
● Зменшити накопичення термічної напруги та покращити цілісність кристала
Під час високотемпературних операцій пружні властивості пористого карбіду танталу (TaC) значно пом’якшують концентрацію термічної напруги, спричинену різницею температур. Ця здатність особливо важлива при вирощуванні кристалів SiC, зменшуючи ризик утворення термічних тріщин, таким чином покращуючи цілісність кристалічної структури та стабільність обробки.
● Оптимізуйте розподіл тепла та підвищте ефективність використання енергії
Покриття з карбіду танталу не тільки надає пористому графіту вищу теплопровідність, але його пористі характеристики також можуть рівномірно розподіляти тепло, забезпечуючи дуже послідовний розподіл температури в реакційній зоні. Такий рівномірний контроль температури є основною умовою для виробництва кристалів SiC високої чистоти. Це також може значно підвищити ефективність опалення, зменшити споживання енергії та зробити виробничий процес більш економічним та ефективним.
● Підвищення стійкості до корозії та продовження терміну служби компонентів
Гази та побічні продукти у високотемпературному середовищі (наприклад, водень або парова фаза карбіду кремнію) можуть спричинити сильну корозію матеріалів. Покриття TaC забезпечує чудовий хімічний бар'єр для пористого графіту, значно знижуючи швидкість корозії компонента, тим самим подовжуючи термін його служби. Крім того, покриття забезпечує тривалу стабільність пористої структури, забезпечуючи відсутність впливу на газотранспортні властивості.
● Ефективно блокує дифузію домішок і забезпечує чистоту кристалів
Графітова матриця без покриття може вивільняти незначну кількість домішок, а покриття TaC діє як ізоляційний бар’єр, щоб запобігти дифундії цих домішок у кристал SiC у високотемпературному середовищі. Цей екрануючий ефект має вирішальне значення для підвищення чистоти кристалів і допомагає задовольнити суворі вимоги напівпровідникової промисловості до високоякісних матеріалів SiC.
Пористий графіт з покриттям з карбіду танталу від VeTek semiconductor значно покращує ефективність процесу та якість кристалів шляхом оптимізації потоку газу, зменшення теплового стресу, покращення термічної однорідності, підвищення стійкості до корозії та пригнічення дифузії домішок під час процесу вирощування кристалів SiC. Застосування цього матеріалу не тільки забезпечує високу точність і чистоту виробництва, але й значно знижує експлуатаційні витрати, що робить його важливою опорою сучасного виробництва напівпровідників.
Що ще важливіше, VeTeksemi вже давно прагне надавати передові технології та продуктові рішення для промисловості виробництва напівпровідників і підтримує індивідуальні послуги з пористого графіту з покриттям з карбіду танталу. Ми щиро сподіваємось стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.
Фізичні властивості покриття TaC |
|
Щільність покриття TaC |
14,3 (г/см³) |
Питома випромінювальна здатність |
0.3 |
Коефіцієнт теплового розширення |
6,3*10-6/К |
Твердість покриття TaC (HK) |
2000 HK |
Стійкість покриття з карбіду танталу |
1×10-5Ом*см |
Термостабільність |
<2500 ℃ |
Розмір графіту змінюється |
-10~-20 мкм |
Товщина покриття |
Типове значення ≥20um (35um±10um) |