VeTek Semiconductor є провідним виробником і інноватором душової насадки з SiC у Китаї. Ми спеціалізуємося на матеріалі SiC протягом багатьох років. Душову насадку з CVD SiC вибрано як матеріал кільця фокусування завдяки його чудовій термохімічній стабільності, високій механічній міцності та стійкості до плазмова ерозія. Ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.
Ви можете бути впевнені, купуючи душову лійку CVD SiC на нашому заводі. Душова лійка VeTek Semiconductor CVD SiC виготовлена з твердого карбіду кремнію (SiC) із застосуванням передових методів хімічного осадження з парової фази (CVD). SiC вибрано через його виняткову теплопровідність, хімічну стійкість і механічну міцність, що ідеально підходить для великих об’ємних компонентів SiC, таких як душова лійка CVD SiC.
Душова насадка CVD SiC, розроблена для виробництва напівпровідників, витримує високі температури та плазмову обробку. Його точний контроль потоку газу та чудові властивості матеріалу забезпечують стабільні процеси та тривалу надійність. Використання CVD SiC покращує термічний контроль і хімічну стабільність, покращуючи якість і продуктивність напівпровідникової продукції.
Душова насадка CVD SiC підвищує ефективність епітаксіального росту, рівномірно розподіляючи технологічні гази та захищаючи камеру від забруднення. Він ефективно вирішує проблеми виробництва напівпровідників, такі як контроль температури, хімічна стабільність і узгодженість процесу, надаючи клієнтам надійні рішення.
Душова насадка CVD SiC, яка використовується в системах MOCVD, епітаксії Si та SiC, підтримує виробництво високоякісних напівпровідникових пристроїв. Його критична роль забезпечує точне керування процесом і стабільність, задовольняючи різноманітні вимоги клієнтів щодо високопродуктивних і надійних продуктів.
Фізичні властивості твердого SiC | |||
Щільність | 3.21 | г/см3 | |
Питомий електричний опір | 102 | Ω/см | |
Сила гнучкості | 590 | МПа | (6000 кгс/см2) |
Модуль Юнга | 450 | ГПа | (6000 кгс/мм2) |
Твердість за Віккерсом | 26 | ГПа | (2650 кгс/мм2) |
C.T.E. (RT-1000 ℃) | 4.0 | х10-6/К | |
Теплопровідність (RT) | 250 | Вт/мК |