додому > Продукти > Покриття з карбіду кремнію > Твердий карбід кремнію > Нова технологія вирощування кристалів SiC
Нова технологія вирощування кристалів SiC
  • Нова технологія вирощування кристалів SiCНова технологія вирощування кристалів SiC

Нова технологія вирощування кристалів SiC

Карбід кремнію надвисокої чистоти (SiC) від Vetek Semiconductor, утворений шляхом хімічного осадження з парової фази (CVD), може бути використаний як вихідний матеріал для вирощування кристалів карбіду кремнію за допомогою фізичного переносу пари (PVT). У новій технології вирощування кристалів SiC вихідний матеріал завантажується в тигель і сублімується на затравковий кристал. Використовуйте викинуті блоки CVD-SiC, щоб переробити матеріал як джерело для вирощування кристалів SiC. Ласкаво просимо до встановлення партнерства з нами.

Надіслати запит

Опис продукту

Нова технологія вирощування кристалів SiC компанії VeTek Semiconductor використовує викинуті блоки CVD-SiC для переробки матеріалу як джерела для вирощування кристалів SiC. CVD-SiC bluk, який використовується для вирощування монокристалів, готується як розбиті блоки з контрольованим розміром, які мають значні відмінності у формі та розмірі порівняно з комерційним порошком SiC, який зазвичай використовується в процесі PVT, тому поведінка росту монокристалів SiC є очікуваною. демонструвати істотно іншу поведінку. Перед проведенням експерименту з вирощування монокристалів SiC було проведено комп’ютерне моделювання, щоб отримати високі швидкості росту, а гарячу зону було налаштовано відповідно для вирощування монокристалів. Після вирощування кристалів вирощені кристали оцінювали за допомогою томографії поперечного перерізу, спектроскопії мікрокомбінаційного розсіювання, рентгенівської дифракції високої роздільної здатності та рентгенівської топографії білого променя синхротронного випромінювання.



Процес виготовлення та приготування:

1. Підготуйте джерело блоку CVD-SiC: спочатку нам потрібно підготувати високоякісний джерело блоку CVD-SiC, який зазвичай має високу чистоту та високу щільність. Його можна отримати методом хімічного осадження з парової фази (CVD) за відповідних умов реакції.

2. Підготовка підкладки: виберіть відповідну підкладку як підкладку для вирощування монокристалів SiC. Зазвичай використовувані матеріали підкладки включають карбід кремнію, нітрид кремнію тощо, які добре збігаються із зростаючим монокристалом SiC.

3. Нагрівання та сублімація: помістіть джерело блоку CVD-SiC і підкладку у високотемпературну піч і забезпечте відповідні умови сублімації. Сублімація означає, що при високій температурі блочне джерело безпосередньо переходить із твердого стану в пароподібний, а потім повторно конденсується на поверхні підкладки, утворюючи монокристал.

4. Контроль температури: під час процесу сублімації необхідно точно контролювати градієнт температури та розподіл температури, щоб сприяти сублімації джерела блоку та зростанню монокристалів. Відповідний контроль температури може досягти ідеальної якості та швидкості росту кристалів.

5. Контроль атмосфери: під час процесу сублімації також необхідно контролювати реакційну атмосферу. Інертний газ високої чистоти (наприклад, аргон) зазвичай використовується як газ-носій, щоб підтримувати відповідний тиск і чистоту та запобігати забрудненню домішками.

6. Ріст монокристалів: блочне джерело CVD-SiC зазнає парофазового переходу під час процесу сублімації та повторно конденсується на поверхні підкладки з утворенням монокристалічної структури. Швидкого зростання монокристалів SiC можна досягти за допомогою відповідних умов сублімації та контролю градієнта температури.


Технічні характеристики:

Розмір Номер частини Подробиці
Стандартний ВТ-9 Розмір частинок (0,5-12 мм)
Маленький ВТ-1 Розмір частинок (0,2-1,2 мм)
Середній ВТ-5 Розмір частинок (1 -5 мм)

Чистота без урахування азоту: краще 99,9999% (6N).


Рівні домішок (за допомогою мас-спектрометрії тліючого розряду)

елемент Чистота
B, AI, P <1 ppm
Всього металів <1 ppm


Майстерня виробника покриття SiC:


Промисловий ланцюг:


Гарячі теги: SiC Crystal Growth Нова технологія, Китай, Виробник, Постачальник, Фабрика, Індивідуальний, Купити, Розширений, Міцний, Зроблено в Китаї
Пов'язана категорія
Надіслати запит
Будь ласка, надішліть свій запит у формі нижче. Ми відповімо вам протягом 24 годин.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept