SiC ущільнювальна частина

Ущільнювальна частина SiC відіграє ключову роль у обробці напівпровідників. Його відмінні властивості матеріалу та надійний ефект ущільнення не тільки підвищують ефективність виробництва, але й забезпечують якість і безпеку продукції.

Основні переваги ущільнювальної частини з карбіду кремнію:

Чудова стійкість до корозії: Серед передових керамічних матеріалів VeTeksemi SiC Sealing Part може мати найкращу стійкість до корозії в кислотних і лужних середовищах. Ця неперевершена стійкість до корозії гарантує, що SiC Sealing Part може ефективно працювати в хімічно корозійних середовищах, що робить його незамінним матеріалом у галузях промисловості, які часто піддаються впливу корозійних речовин.

Легкий і міцний: Карбід кремнію має щільність приблизно 3,2 г/см³, і незважаючи на те, що це легкий керамічний матеріал, міцність карбіду кремнію порівнянна з міцністю алмазу. Це поєднання легкості та міцності покращує продуктивність механічних компонентів, тим самим підвищуючи ефективність і зменшуючи знос у складних промислових застосуваннях. Легка природа ущільнювальної частини SiC також полегшує транспортування та встановлення компонентів.

Надзвичайно висока твердість і висока теплопровідність: Карбід кремнію має твердість за Моосом 9~10, порівнянний з алмазом. Ця властивість у поєднанні з високою теплопровідністю (приблизно 120-200 Вт/м·К при кімнатній температурі) дозволяє SiC-ущільнювачам працювати в умовах, які можуть пошкодити неякісні матеріали. Чудові механічні властивості SiC зберігаються при температурах до 1600°C, що гарантує міцність і надійність ущільнень SiC навіть у високотемпературних умовах.

Висока твердість і зносостійкість: Карбід кремнію характеризується міцними ковалентними зв’язками в кристалічній решітці, що надає йому високу твердість і значний модуль пружності. Ці властивості забезпечують відмінну зносостійкість, зменшуючи ймовірність вигину або деформації навіть після тривалого використання. Це робить SiC чудовим вибором для ущільнювальних частин SiC, які піддаються постійним механічним навантаженням і абразивним умовам.

Утворення захисного шару діоксиду кремнію: Під впливом температури приблизно 1300°C у багатому киснем середовищі карбід кремнію утворює захисний діоксид кремнію (SiO₂) шар на його поверхні. Цей шар діє як бар’єр, запобігаючи подальшому окисленню та хімічній взаємодії. Як SiO₂шар потовщується, він ще більше захищає нижній SiC від інших реакцій. Цей процес самообмежувального окислення надає SiC відмінну хімічну стійкість і стабільність, що робить ущільнення SiC придатними для використання в реактивних і високотемпературних середовищах.

Універсальність у високопродуктивних програмах:Унікальні властивості карбіду кремнію роблять його універсальним і ефективним у різноманітних високопродуктивних застосуваннях. Від механічних ущільнень і підшипників до теплообмінників і компонентів турбін, здатність SiC Sealing Part витримувати екстремальні умови та зберігати свою цілісність робить його найкращим матеріалом для передових інженерних рішень.

VeTek Semiconductor прагне надавати передові технології та продуктові рішення для напівпровідникової промисловості. Крім того, наші продукти SiC також включаютьПокриття з карбіду кремнію, Кераміка з карбіду кремніюіПроцес епітаксії SiCпродуктів. Ласкаво просимо до подальшої консультації.

ДАНІ РЕМ КРИСТАЛІЧНОЇ СТРУКТУРИ ПЛІВКИ CVD SIC：