SiC Console Paddle компанії VeTek Semiconductor є дуже високоефективним продуктом. Наша консольна пластина SiC зазвичай використовується в печах термічної обробки для обробки та підтримки кремнієвих пластин, хімічного осадження з парової фази (CVD) та інших процесів обробки в процесах виробництва напівпровідників. Висока температурна стабільність і висока теплопровідність матеріалу SiC забезпечують високу ефективність і надійність процесу обробки напівпровідників. Ми прагнемо надавати високоякісні продукти за конкурентоспроможними цінами та сподіваємося стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.
Ласкаво просимо вас прийти на наш завод Vetek Semiconductor, щоб придбати найновішу продукцію за низькою ціною та високоякісну консольну пластину SiC. Будемо раді співпраці з вами.
Високотемпературна стабільність: Здатний зберігати свою форму та структуру при високих температурах, підходить для високотемпературних процесів обробки.
Стійкість до корозії: чудова стійкість до корозії до різних хімічних речовин і газів.
Висока міцність і жорсткість: забезпечує надійну підтримку для запобігання деформації та пошкодженню.
Висока точність: висока точність обробки забезпечує стабільну роботу в автоматизованому обладнанні.
Низьке забруднення: матеріал SiC високої чистоти знижує ризик забруднення, що особливо важливо для надчистого виробничого середовища.
Високі механічні властивості: здатний витримувати важкі робочі середовища з високими температурами та високим тиском.
Специфічні застосування SiC Contilever Paddle та принцип його застосування
Обробка кремнієвих пластин у виробництві напівпровідників:
SiC Contilever Paddle в основному використовується для обробки та підтримки кремнієвих пластин під час виробництва напівпровідників. Ці процеси зазвичай включають очищення, травлення, покриття та термічну обробку. Принцип застосування:
Робота з кремнієвими пластинами: консольна пластина SiC призначена для безпечного затискання та переміщення кремнієвих пластин. Під час процесів високотемпературної та хімічної обробки висока твердість і міцність матеріалу SiC гарантують, що кремнієва пластина не буде пошкоджена або деформована.
Процес хімічного осадження з парової фази (CVD):
У процесі CVD SiC Cantilever Paddle використовується для транспортування кремнієвих пластин, щоб тонкі плівки могли бути нанесені на їхні поверхні. Принцип застосування:
У процесі CVD консольна пластина SiC використовується для фіксації кремнієвої пластини в реакційній камері, а газоподібний прекурсор розкладається при високій температурі та утворює тонку плівку на поверхні кремнієвої пластини. Стійкість SiC до хімічної корозії забезпечує стабільну роботу в умовах високої температури та хімічного середовища.
Фізичні властивості перекристалізованого карбіду кремнію | |
Власність | Типове значення |
Робоча температура (°C) | 1600°C (з киснем), 1700°C (відновне середовище) |
Вміст SiC | > 99,96% |
Безкоштовний вміст Si | < 0,1% |
Об'ємна щільність | 2,60-2,70 г/см3 |
Видима пористість | < 16% |
Міцність на стиск | > 600 МПа |
Міцність на холодний вигин | 80-90 МПа (20°C) |
Міцність на гарячий вигин | 90-100 МПа (1400°C) |
Теплове розширення @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Теплопровідність @1200°C | 23 Вт/м•К |
Модуль пружності | 240 ГПа |
Стійкість до термічного удару | Надзвичайно добре |