Китай Покриття з карбіду кремнію Виробник, Постачальник, Завод

VeTek Semiconductor спеціалізується на виробництві надчистих покриттів з карбіду кремнію, ці покриття призначені для нанесення на компоненти з очищеного графіту, кераміки та тугоплавких металів.

Наші покриття високої чистоти в першу чергу призначені для використання в напівпровідниковій та електронній промисловості. Вони служать захисним шаром для носіїв пластин, токоприймачів і нагрівальних елементів, захищаючи їх від корозійних і реактивних середовищ, які зустрічаються в таких процесах, як MOCVD і EPI. Ці процеси є невід’ємною частиною обробки пластин і виробництва пристроїв. Крім того, наші покриття добре підходять для застосування у вакуумних печах і нагріванні зразків, де стикаються з високим вакуумом, реактивними та кисневими середовищами.

У VeTek Semiconductor ми пропонуємо комплексне рішення з передовими можливостями машинного цеху. Це дозволяє нам виготовляти базові компоненти з графіту, кераміки або тугоплавких металів і наносити керамічні покриття SiC або TaC власними силами. Ми також надаємо послуги з нанесення покриття на надані клієнтом деталі, забезпечуючи гнучкість для задоволення різноманітних потреб.

Наші продукти з покриттям з карбіду кремнію широко використовуються в епітаксії Si, епітаксії SiC, системі MOCVD, процесу RTP/RTA, процесі травлення, процесі травлення ICP/PSS, процесі різних типів світлодіодів, включаючи сині та зелені світлодіоди, ультрафіолетові світлодіоди та глибоке УФ. Світлодіод тощо, який адаптований до обладнання LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI тощо.

Частини реактора, які ми можемо зробити:

Покриття з карбіду кремнію має кілька унікальних переваг:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

Параметр покриття з карбіду кремнію VeTek Semiconductor:

Основні фізичні властивості CVD покриття SiC
Власність	Типове значення
Кристалічна структура	FCC β-фаза полікристалічна, переважно (111) орієнтована
Щільність	3,21 г/см³
Твердість	Твердість за Віккерсом 2500 (навантаження 500 г)
Розмір зерна	2~10 мкм
Хімічна чистота	99,99995%
Теплоємність	640 Дж·кг-1·K-1
Температура сублімації	2700 ℃
Міцність на згин	415 МПа RT 4-точковий
Модуль Юнга	430 Gpa 4pt вигин, 1300 ℃
Теплопровідність	300 Вт·м-1·K-1
Теплове розширення (CTE)	4,5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films

View as

Процес хімічного осадження з парової фази Solid SiC Edge Ring

VeTek Semiconductor є провідним виробником і інноватором у Китаї виробництва Solid SiC Edge Ring для процесу хімічного осадження з парової фази. Ми багато років спеціалізуємося на напівпровідникових матеріалах. VeTek Semiconductor Solid SiC Edge Ring забезпечує покращену рівномірність травлення та точне позиціонування пластини при використанні з електростатичним патроном. , забезпечуючи послідовні та надійні результати травлення. Ми з нетерпінням чекаємо стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Детальніше Надіслати запит

Фокусуюче кільце для травлення з міцного SiC

VeTek Semiconductor є провідним виробником і інноватором у Китаї Solid SiC Etching Focusing Ring. Ми спеціалізуємося на SiC матеріалі протягом багатьох років. Solid SiC обрано як матеріал фокусуючого кільця завдяки його чудовій термохімічній стабільності, високій механічній міцності та стійкості до плазми. ерозії. Ми з нетерпінням чекаємо можливості стати вашим довгостроковим партнером у Китаї.

Детальніше Надіслати запит

<...8 9 10 11 12 >

Як професійний Покриття з карбіду кремнію виробник і постачальник у Китаї, ми маємо власну фабрику. Незалежно від того, чи потрібні вам індивідуальні послуги відповідно до конкретних потреб вашого регіону, чи бажаєте придбати вдосконалений і міцний Покриття з карбіду кремнію, виготовлений у Китаї, ви можете залишити нам повідомлення.